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来源：泰科天润
宣布时间：2019-10-16 00:00
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【提要描述】

碳化硅SiC的市场花样及其带来的工程挑战

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来源：泰科天润
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碳化硅(SiC)是近五年以来备受关注的第三代半导体，SiC功率器件的研发从1970年代就开始了，到了1980年代，SiC晶体质量和制造工艺获得了大幅革新，90年代末，除了美国之外，欧洲和日本也开始投入资源进行研发。今后，行业开始加速生长。

到2001年英飞凌推出了第一款SiC器件------300V~600V(16A)的SiC肖特基二极管，接着科锐（Cree）在2002年推出了600V~1200V（20A）的SiC肖特基二极管，主要用在开关电源控制和和电机控制中，随后ST、罗姆、飞兆和东芝等都纷纷推出了相应的产品。而SiC晶体管和SiC MOSFET则划分在2006年和2011年才面世。

最近几年，由于MOSFET技术开始被市场合接受，包括心理门槛和技术门槛，SiC市场开始了较快地增长。凭据2019年Yole宣布的SiC市场报告，2018年SiC的市场规模约为4.2亿美元，该机构预计SiC市场的年复合增长率为29%，也就是说到2024年，SiC的市场规模将达19.3亿美元。

SiC企业

与集成电路的制造类似，SiC器件的生产也有IDM和Fabless模式两种。目前主要以IDM模式为主。SiC工业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和�？榛方�，以及下游的应用环节。因此，SiC工业链内的玩家其实有不少，其中份额最大确当属美国的Cree，凭据Yole最新的报告，它占了整个SiC功率器件市场的62%，它具有多年的SiC衬底生产经验，它旗下的Wolfspeed也是一家射频和功率器件公司拥有笔直一体化的生产能力。

在衬底方面，海内的天科合达历史最为悠久，其产品已经在市场上卖了十几年了；第二家是山东天岳，其技术源于山东大学。别的，河北同光、世纪金光、中科节能和Norstel也有相关技术。

在器件和�？榉矫�，目前技术最强的照旧罗姆、英飞凌和Wolfspeed等外洋厂商。海内的厂商技术与他们相比差别还比较大，海内主要照旧做SiC肖特基二极管为主。不过好消息是，差别在缩小，也内人士认为，差别的原因主要是海内起步比较晚，研发也就做了十年左右，而外洋企业的研发至少已经做了25年了。SiC技术，尤其是SiC二极管技术，不是特别庞大，只要企业愿意去做，沉下心去做，几年后基本就可以做稳定了，但SiC MOSFET的技术要更难，要追上来需要更长的时间。像现在的泰科天润的SiC二极管产品已经在海内卖了许多年了，也获得了行业的诸多认可。

在代工厂方面，目前SiC工业内还没有真正的代工厂，据说也没有有产线的企业愿意给别人代工。所以海内的SiC Fabless企业一般都是要去找台湾的代工厂商，好比汉磊科技。海内的基本半导体就是一家Fabless的SiC企业。

这几年，海内有不少企业新进入了SiC领域，其实要想在SiC领域活下来，也禁止易。首先要有足够的资金投入，因为它是一个高投入的行业，据业内人士透露，不说其他投资，就一个SiC制造厂的水电费，一个月也得200多万，因此，没有足够的资金支持是很难坚持下去的；其次是上下游的支持情况，上游能否拿到好质料，器件在下游能否卖出去，开始可能需要自己投资，对市场有一定的掌控力。三是技术团队很重要。